分割ミラーアレイにおける複数のファノ共鳴の実験的デモンストレーション
Scientific Reports volume 12、記事番号: 15846 (2022) この記事を引用
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この研究は、低損失かつ低屈折率のポリテトラフルオロエチレン (PTFE) 基板上に堆積された鏡面対称スプリットリング共振器のアレイに基づくシステムにおける、テラヘルツ範囲における複数のファノ共鳴の最初の実験的観察を実証します。 メタサーフェス製造用の標準的なマスク リソグラフィーをさらに適用して、レーザー技術によって引き起こされる選択的表面活性化を初めて使用して、PTFE 基板上に銅層を堆積しました。
ファノ型共鳴は、スプリットリング共振器 (SRR) で作られたメタ表面で観察されます。 これを得るために、SRR に追加の非対称性が導入されます。 通常、リングは長さの異なる 2 つのセクションに分割され、そこでいわゆる「ダーク モード」が励起され、ファノ共鳴の出現の原因となります1。 ダークモードと外部電場との結合が弱いため、ファノ共振は高い共振品質を示します。 したがって、このようなメタマテリアルは、さまざまなセンサーの開発に応用できる可能性があると期待されています2。
アプリケーション要件が異なるため、ファノ共鳴分野における研究の関心は、単一のファノ共鳴から複数のファノ共鳴へと広がっています。 マルチスペクトル ファノ共鳴は、マルチチャネル生化学センシング 3、マルチバンド第 2 高調波発生 4、およびマルチバンド吸収体/放射体 5 において有望です。 単一のファノ共振は 1 つの明るいモードと 1 つの暗いモードを組み合わせることで発生しますが、明るいモードと複数の暗いモードを組み合わせると、複数のファノ共振が生じる可能性があります。 複数のファノ共鳴は、平面周期構造 6 に新しい非対称性を導入し、表面プラズモンポラリトン モードと多次平面導波路モード 8 を結合することにより、2 つの異なるメタマテリアル共振器 7 からなるメタ分子格子を集合的に励起することによって作成されます。 異なる形状の空洞を持つ金属 - 絶縁体 - 金属導波路構造における複数のファノ共鳴9は、集積の容易さや可視および近赤外波長の光の深いサブ波長閉じ込めなどの優れた特徴により、多くの研究者の注目を集めています。 ハイブリッドメタマテリアル導波路(HMW)構造は、暗い擬似導波モードと明るいプラズモンモードの弱め合う干渉によって引き起こされる複数のファノピークを確立するために提案されています。 理論的考察により、スラブ導波路のマルチモード特性により、HMW 設計は、遠赤外線およびテラヘルツのスペクトル範囲で動作する単純な金属共振器で複数のファノ共振を実現する簡単な方法を提供できることが示されています 10、11、12。 最近、GHz 周波数範囲では、二重層メタ表面 13 を使用した複数の電磁誘導透明性と、複数のファノ共振 14 を使用した超広帯域偏光変換拡張が実験的に実証されました。 どちらの場合も、複数の共鳴を達成するために、提案されたメタ表面の単位セルはかなり複雑になりました。
この研究では、ミラー対称スプリットリング共振器のアレイに基づく HMW システムにおけるテラヘルツ範囲の複数のファノ共鳴の最初の実験観察を紹介します。 我々は、低損失かつ低屈折率のポリテトラフルオロエチレン(PTFE)基板上に蒸着されたSRRの鏡面対称アレイに現れる誘電体導波路モードとプラズモニックモードの相互作用を介して多重ファノ共鳴観察を行うスキームを提案します。 基板の厚さを増加すると、より高次の導波路モードが励起されます。 その結果、それらはプラズモニックモードと相互作用し、複数のファノ共鳴が現れます。 ファノ共振の数とその固有周波数は、基板の厚さを変えることで簡単に調整できます。 注目すべきことに、私たちの設計は、多波長バイオセンサー、屈折率センサー、およびフィルターを設計するための大きな可能性を備えたオープン (クラッディングのない) 導波路を提供します。
メタサーフェスの製造に適用できる方法としては、インクジェット印刷 17、スクリーン印刷 18、ロールツーロール印刷 19、化学蒸着 20 など、いくつかの方法が知られています。 しかしながら、上述の方法のいずれも、基板への十分な接着力を備えた金属層をPTFE基板上に堆積させることはできない。 したがって、この研究では、レーザーによる新しい選択的表面活性化 (SSAIL) 法が使用されています 21、22、23、24。 SSAIL には、誘電体表面のレーザー改質、溶液への浸漬による改質領域の化学的活性化、および活性化部分の化学的無電解金属堆積という 3 つの主要なステップが含まれます。 この新技術は、最大 4 m/s のレーザー書き込み速度を実現し、これにより空間めっきピッチは 25 μm まで狭く保たれます。 他のめっき技術と比較した場合、SSAIL プロセスの主な利点は、プロセスが選択的であり、レーザーで改質された表面にのみ銅の堆積が現れることです。 さらに、SSAIL はポリマーマトリックスに特別な添加剤を必要とせず、標準的な市販材料 (市場で入手可能) を回路キャリアとして使用できます。 SSAIL は、基板への銅の高い接着力を形成することにより、PTFE アプリケーションに独自の利点をもたらします。 さらに、SRR 構造は標準的なマスク フォトリソグラフィーを使用して製造されます。
私たちが研究するメタサーフェスは、図 1 に概略的に示されています。アレイの 2 列ごとの SRR が 180 度回転していることがわかります。 このような構成により、単一のファノ共鳴をより早期に検出できるようになりました 15,16。
SRR のミラーアレイと拡大された単一ユニットセルの概略図。 単位セルの x 方向の寸法 Lx は Ly = 600 μm の 2 倍です。 SRR の寸法は A = 500 μm、W = G = 50 μm、メタライゼーションの厚さは 10 μm、外部電場は y 軸に平行です。
電磁波の電場が SRR のギャップを横切るため、奇数プラズモニック モード (n = 1、3、…) が励起されます。ここで、n は SRR25 の周囲に収まる発振の半波長の数です。
実験的研究のために、共振器はポリテトラフルオロエチレン (PTFE) 基板上に形成されます。 PTFE は、独特の機械的および電気的特性を備えた材料です。 誘電損失が低いことが特徴です。 このため、PTFE は GHz 帯域の用途にとって魅力的な材料です。 しかし、この材料は摩擦係数が非常に低いため、PTFE の表面に金属を蒸着するのは困難です。 化学エッチングとプラズマエッチングに基づいた研究がいくつかあります26、27。 ただし、21 年に提案された比較的新しい SSAIL テクノロジーを適用します。 SSAIL テクノロジーは、ガラス、セラミック、さまざまなポリマーなど、さまざまな誘電体材料のメタライゼーションにすでに適用されています。 この研究では、化学技術とレーザー技術を組み合わせ、THz 範囲で十分な接着力と優れた電磁特性を備えた PTFE メタライゼーションへのこの方法の最初の応用を実証します (「方法」を参照)。
数値シミュレーションは、有限差分時間領域法に基づくカスタムメイドのプログラムを使用して実行されます。 SRR アレイのシミュレーションには、図 1 に示すユニットセルが使用されます。 微分ガウス パルスは、トータル フィールド - 散乱フィールド平面波源を使用して生成され、モデリング ドメインは一軸の完全に整合した層によって切り詰められ、反射のない波の吸収が導入されます 28。 最後に、一般化 Goertzel アルゴリズムに基づく方法を使用して、透過率スペクトルを計算します29。
SRR が堆積される PTFE 層は、誘電体導波管と考えることができます。 SRR の周期的アレイ (図 1 を参照) での電磁波の回折により、その中で導波路モードが励起される可能性があります。 サンプルの前面と背面に反射すると、サンプルは x0y 平面内を移動します。 それらを決定するには、30、31 で説明されている手法を使用する必要があります。 回折ビームは、全内部反射角 θc よりも大きな角度で誘電体と空気の界面に入射すると、誘電体プレート内にトラップされます。
誘電体スラブ中を伝播するモードを見つけるには、界面の両側の電磁波成分に関する代数方程式を解くか30、あるいは誘電体中を伝播して誘電体から反射するビームのいわゆる「自己無撞着条件」を満たす必要があります。両方のインターフェイス31。 どちらの場合も、解は数値的に見つける必要があります。 通常、誘電体導波路のゼロモードには臨界周波数はありませんが、高次モードには臨界周波数があります。 したがって、それらは臨界周波数を超える周波数でのみ励起できます。 この場合、誘電体基板内のモードは誘電体の表面に形成された周期パターンからの光線の回折によって励起されるため、メタ表面に垂直に入射する波の角度 θd は次のように表すことができます。
ここで、 λ はメタ表面への入射光線の波長、 l = 1、2、… は回折次数、 Lx は共振器アレイの x 方向の周期を示します (図 1 を参照)。 外部磁場が Ly 方向に向いている限り、誘電体基板内で励起される TE モードのみを考慮します。 さらに、誘電体導波管内で励起される可能性のある無限の数のモードのうち、界面への入射角が回折ビームの角度に対応するモードのみが考慮されます。
図 2 に、表面に周期 1200 μm の格子が堆積された厚さ 1000 μm の基板内で励起できるモードの例を示します。 実線は、空気に囲まれた誘電体プレート内の励起導波路モードの誘電体と空気の界面への入射角を示しています。 どのモードの最低周波数における入射角 θ も臨界角に等しく、図の水平点線で示されています。 破線は、プレートの表面に堆積された周期構造からの回折によってビームが偏向される角度を示しています。 明らかに、破線と実線の曲線の交点は、周期的なメタ表面を持つプレート内で励起できるモードを示しています。 この特定のケースでは、6 つのモードが励起される可能性があります。 そのうちの 2 つは 1 次回折 (m = 0、1)、4 つは 2 次の回折 (m = 0 ~ 3) によって現れます。 それらの周波数と角度θを図2に示します。
光が誘電体と空気の界面に当たる角度の、空気中の誘電体板の周波数依存性。 プレートの厚さ d = 1000 μm、誘電率 2.0、格子周期 Lx = 1200 μm。 実線はプレート内で許容されるモードを示し、破線は回折角を示し、点線は全反射角を示します。 実線と点線の交点は、表面にメタ表面が堆積したプレート内で励起できるモードを示しており、その周期は Lx です。
基板の異なる厚さに形成されたミラーアレイの透過率の計算された周波数依存性を図3に示す。明確にするために、曲線は縦軸において互いに対してシフトされている。 図からわかるように、比較的薄い基板上に形成されたアレイで以前に観察されたファノ共振15、16は、基板の厚さが増加するにつれて低い周波数に向かってシフトします。 一次プラズモニック共鳴も同様に動作します。 ただし、基板の厚さが増加すると、1 つのファノ型共振が 2 つになり、最も厚い基板上のサンプルでは 3 つの明確なファノ共振さえも区別できるようになります。
異なる厚さの基板 (ε = 2) 上のスプリットリング共振器のミラーアレイで構成されるメタマテリアルの計算された透過率スペクトル。 基板の厚さは図に示されています。 明確にするために、スペクトルは縦軸でシフトされています。 文字 n はプラズモニック モード番号を示し、異なる色は異なる導波路モード番号に対応し、文字 l は回折次数を表します。
私たちは厚い基板上に形成されたメタ表面を研究してきたので、メタ表面もファブリ・ペロー共鳴を示すはずです。 ただし、基板の誘電率が低いため、これらの共振によって引き起こされる帯域幅変調の深さは大きくありません。 これは、図4に示す計算結果によって確認されています。厚さ1.2 mmの基板上に形成されたメタ表面の計算されたスペクトルに加えて、ファブリーペロー共鳴媒介の帯域幅変調が示されています。 これは 10% 程度であり、鋭いファノ共鳴が観察される周波数範囲では、メタ表面透過率に対する影響は顕著ではありません。
考慮された最も厚い基板のメタサーフェス透過率スペクトルとファブリーペロースペクトル縞。 文字nはプラズモンモード番号を表し、異なる色は異なる導波路モードに対応し、色付きの背景マークの導波路モードの数字、文字lは回折次数を表します。
図3に示す計算されたスペクトルから、ファノ共鳴と第一プラズモニック共鳴の基板厚さに対する周波数依存性を決定しました。 図 5 の記号はこれらの結果を示しています。 図5に示すように、プラズモン共鳴周波数は、誘電体基板の厚さが約100μmに達するまで、厚さが増加するにつれて減少する。 厚さをさらに増加してもプラズモン周波数には影響しません。 d > 100 μm の場合、界面の実効誘電率は界面の両側の誘電率の平均 \({\varepsilon }^{*}=(\varepsilon +1) として表すことができると仮定できます。 /2,\) ここで、ε は誘電体基板の誘電率であり、1 は自由空間の比誘電率に対応します。 LC回路の共振としてプラズモニック共振を考えると、dを増加させることによって等価回路の静電容量が変化する一方、インダクタンスは変化しないことが明らかです。 したがって、形式的には、プラズモン共鳴周波数の ε* への依存性は \({f}_{pl}=1/\left(2\pi \sqrt{LC}\right)\sim \frac{1}{\ と表すことができます。 sqrt{{\varepsilon }^{*}}}\)。 ε = 2 であることを念頭に置くと、d が増加すると共振周波数が 1.225 倍に減少するはずであることがわかります。 驚くべきことに、これはシミュレーション結果から得られた比率とまったく同じです: fpl(d = 0)/fpl(d > 100 μm) = 82/67 = 1.224。
基板の厚さに対する共振周波数の依存性。 点は、計算された透過率スペクトルから抽出された結果を示します。 正方形は最初のプラズモニック共鳴に対応し、他の点はファノ共鳴周波数を示します。 実線は、誘電体基板内で励起される導波路モードの周波数を示します。
透過率のスペクトル依存性(図3を参照)から収集された図5からわかるように、ファノ共鳴周波数は、最初のプラズモニック共鳴よりも基板の厚さに対するはるかに強い依存性を示しています。 したがって、実効誘電率の変化ではほとんど説明できません。 しかし、誘電体上に堆積された SRR の周期的な配列により電磁放射が回折され、全反射角よりも大きな角度で基板に入射する回折光線は基板から逃げることができません。 したがって、誘電体内で導波モードが励起され、プラズモニック共鳴 (n = 3) と相互作用して、前述のファノ共鳴を引き起こします。
ファノ型共振が観察されている最大 300 GHz の周波数範囲で興味深いため、1 次の回折次数のみを考慮して、励起された 0 次、1 次、および 2 次の導波路モード周波数の厚さへの依存性を計算しました。基板の。 計算結果を図5に実線で示す。 ファノ共振周波数は、特に基板の厚さが増加した場合に、導波路モード周波数とかなりよく一致することがわかります。 この事実は、広いプラズモニック モードと狭い導波路モードの相互作用の結果として複数のファノ共鳴が現れるという命題を強く裏付けています。 シミュレートされたスペクトルから得られたデータと比較すると、計算されたモード周波数には多少の不一致があります。 重要なのは、両面が空気に囲まれた誘電体板に対してモードが計算されているということです。 実際の状況では、プレートの片面は金属 SRR で覆われており、透過スペクトルにプラズモニック モードとファノ型共鳴が表示されます。 これは明らかに、メタ表面から反射される波の位相の変化をもたらし、励起された導波路モード周波数に影響を与える可能性があります32。 モード近似から得られた結果とスペクトルシミュレーションから得られた結果との間の差は、基板の厚さが増加するにつれて減少することは明らかである。 これは、d の増加に伴って界面への入射角が増加するために起こります。そのため、金属格子による追加の位相シフトは、試料を通過するビームによって蓄積される総位相シフトに対する寄与が相対的に小さくなり、サンプル内を通過するビームによって蓄積される位相シフトの割合が相対的に小さくなります。誘電体導波管モード。
理論的考察を確認するために、PTFE 基板上に堆積された SRR アレイの透過率スペクトルを測定しました。 基板の厚さは1mmです。 「方法」で説明されている SSAIL テクノロジーが適用されます。 実験結果と計算スペクトルを図 6 に示します。理論的には 3 つのファノ型共鳴が予測されていることがわかります。 文字 a、b、c はそれらの共鳴にラベルを付けます。 計算された Q ファクターは大きく異なります。 非常に鋭い (a) 共鳴の Q ファクターは 200 を超えますが、(b) と (c) はそれぞれ約 80 と 30 です。 図からわかるように、最も鋭いファノ共鳴 (a) は実験的には区別されません。 測定されたファノ共鳴の周波数 (b) および (c) は、シミュレートされたデータと完全に一致します。 ただし、共鳴は通常 THz 周波数領域で発生するため、共鳴の振幅は予測よりも低くなります 15。 製造技術パラメータに対する感度が高いため、測定されたファノ ピークの振幅は統計的に 10% 以内にばらついていることがわかりました。
厚さ 1 mm の PTFE 基板上のミラー SRR の透過率の依存性を測定および計算しました。 文字 n はプラズモニック モード番号を表し、異なる色は異なる導波路モードを示します。色付きの背景の数字は導波路モードに対応し、文字 l は回折次数を表します。 文字 a、b、c はファノ共鳴を示します。
d、e、f の文字でラベル付けされた鋭い共鳴は、理論的には約 300 (d) および (e) から最大 600 (f) の範囲の Q ファクターで予測されています。 それらの特性周波数は、厚さ 1 mm の基板の表面に堆積された 1200 μm 周期の格子の 2 次回折により基板内で励起される m = 0、1、および 3 モードにほぼ対応します (図 2 を参照)。 共振 (d)、(e)、および (f) は、導波路モードが励起される周波数での透過最小値として透過スペクトルに現れます。 しかし、サンプル処理の精度が不十分なため、実験的には解決できません。
得られた結果を考慮して、導波路モードとプラズモニックモードの相互作用により、十分に厚い基板上に形成されたミラー配向共振器を備えたメタ表面に複数のファノ型共鳴が現れることを初めて観察しました。 共鳴時の表面電流の分析(図示せず)により、本論文におけるファノの共鳴出現の物理的理由は、送信最大時に SRR を流れる電流の双極子モーメントについての詳細が記載されている以前の研究と実質的に同じであることが明らかになりました。そして最小値が見つかります15。
プラズモニック (n = 3) モードと誘電体導波路モードの相互作用の結果として、厚い PTFE 基板上に堆積されたスプリットリング共振器のミラーアレイ内で複数のファノ共振が理論的に予測されています。 SSAIL 法は、PTFE 基板上の銅から高品質の SRR を形成するために採用されています。 理論的予測は、SSAIL テクノロジーを使用して製造されたメタサーフェスで実験的に確認されました。 複数の共鳴も観察されている 13,14 と比較すると、今回の研究で提案されているメタ表面の単位セルははるかに単純です。 さらに、ファノ共鳴の数、周波数、振幅は、基板の厚さを変えることで調整できる可能性があります。
この作業では、SRR の基板材料としてポリテトラフルオロエチレン (PTFE) が使用されました。
SSAIL には 3 つの主なステップが含まれます。レーザー ビームによる表面改質、特別な溶液への浸漬による改質領域の化学的活性化、活性化された部分への化学的無電解金属析出です。 表面活性化、そのメタライゼーション、および SRR 製造の一般的な図を図 7 に示します。
SSAIL テクノロジーを使用した PTFE への銅の堆積と、標準的なフォトマスキング方法を使用した SRR 製造の一般的な図。 ステップ 1 - 金属化する領域のレーザーによる表面処理、ステップ 2 - レーザー処理した領域のエッチング、ステップ 3 - 銀触媒によるレーザー処理した領域の化学的活性化、ステップ 4 - アルカリ浴中での無電解銅めっき、ステップ5−フォトレジストのスピンコーティング、ステップ6−マスクフォトリソグラフィーおよび現像プロセス、ステップ7−メタ表面構造RCA酸溶液のエッチングおよびその後のリンス。
銅の選択的堆積のためのレーザー修正ステップは、Nd:YVO4 ピコ秒レーザー Atlantic (Ekspla) を使用して実行されます。 パルス持続時間は 10 ps、繰り返しレートは 400 kHz ~ 1 MHz、最大平均電力は最大 60 W です。パルスピッカーを使用して、より低い周波数領域を調整します。 レーザービームの平行移動は、ガルバノスキャナー (Scanlab AG) を使用して実行されます。 焦点距離 160 mm の F-θ レンズを使用して、基板の表面にレーザー ビームの焦点を合わせます。 レーザービームは、平行線を重ね合わせてハッチングすることにより、金属化される領域上で走査されました。 集束されたレーザー ビームのスポット サイズは直径 25 μm (ガウス強度レベル 1/e2) でした。
PTFE ポリマー用に特別に適応された SAIL プロセスのステップは次のとおりです。 レーザー書き込み後、試料をトルエンと混合したフルオロポリマーエッチング (ARTILABO International BVBA、ベルギー) に 20 ~ 30 秒間浸漬します。 次に、高度に希釈した窒化銀 (Sigma-Aldrich) 溶液を使用してサンプルを化学的に活性化します。 さらに、無電解銅めっきは 30 °C で 60 分間実行されます。 銅めっき浴には、硫酸銅五水和物 (0.12 M)、ホルムアルデヒド (0.3 M)、水酸化ナトリウム (1.2 M)、炭酸ナトリウム (0.3 M)、および酒石酸ナトリウム - カリウム (0.35) (すべて Sigma-Aldrich) が含まれています。 溶液のpHは12.7です。 金属化プロセスが完了すると、サンプルの表面に厚さ約 10 μm の銅の層が形成されます。 PTFE 表面の共振器は、従来のフォトリソグラフィーとウェット エッチング技術を使用して製造されます。次のステップが含まれます。まず、4 体積%の酢酸溶液中でサンプルを採取し、酸化銅を除去し、次に窒素ガンで乾燥します。 さらにサンプルをホットプレート上に120℃で10分間置き、水蒸気を除去した後、サンプルをAZ1518フォトレジストで30秒間1500RPMでスピンコートして3μmの層を形成し、低温を使用してホットプレート上で60℃で4分間加熱しました。基板の曲がり/曲がりを避けるため (マスクのアライメントには SUSS MA/BA6 Gen 4 を使用しました)、次のステップでは、UV ソース出力を 100 mJ⁄(cm2) の一定線量に設定し、露光構成 100006249 HR-A-IFP (なし)フィルター 37%)。 マスクを試料に押し付ける真空密着方式です。 マスク位置合わせステップ中に、SRR マスクの方向が調整されるため、SRR 対称軸 (図 1) はレーザー ハッチ マーキングと一致します。 次に、サンプルを現像液 1:4 351B:H20 (体積比) で 1 分間洗浄します。 エッチングは、H 2 O:HCl:H 2 O 2 の体積比30:5:1の改変RCA溶液を用いて約2分間行われ、その後、サンプルをアセトン中で洗浄することによってフォトレジストが除去される。 最終洗浄は、サンプルを脱イオン水で洗浄し、窒素ガンで乾燥することによって行われます。 プロセスの詳細を図 7 に示します。共振器は 1 mm 厚の PTFE シート上に作成されます。 調査したサンプルの横サイズは 2 × 2 cm2 です。 SRR の寸法は A = 500 μm、W = G = 50 μm です。
構造体を透過したパワーは、市販の周波数領域テラヘルツ分光計 (Toptica Terascan 780) を使用して測定されます。 電磁波は試料面に対して垂直に入射します。 電場ベクトルは y 方向を向いています。 遠視野透過率スペクトルは、測定された透過パワーを、調査対象のサンプルが存在しない状態で測定された参照パワーに対して正規化することによって得られます。 周波数ステップは 0.2 GHz に維持されます。 THz 範囲では、金属はほぼ完全な導体 33 であり、PTFE 基板は非吸収性であるため、散逸損失は無視できます。
現在の研究中に分析されたデータセットは、合理的な要求に応じて責任著者から入手できます。
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このプロジェクトは、リトアニア研究評議会 (LMTLT) との助成契約に基づき、欧州地域開発基金 (プロジェクト番号 01.2.2-LMT-K-718-03-0038) から資金提供を受けました。
Center for Physical Sciences and Technology、Savanoriu Ave. 231、02300、ビリニュス、リトアニア
アンドリウス・カマラウスカス、ダリウス・セリュータ、ゲディミナス・シュレカス、モデスタス・サダウスカス、エヴァルダス・クヴィトカウスカス、ロムアルダス・トルソバス、カロリス・ラタウタス、ジルヴィンス・カンクレリス
ヴィリニュス・ゲディミナス工科大学、サウレテキオ通り 11、10223、ビリニュス、リトアニア
セリウタの一部
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AK、DS、RT、KR、Ž.K。 本文を書きました。 G.S. そしてŽ.K. 理論的な指導を提供し、理論的な計算とモデリングを実行しました。 AK と DS は実験測定を実行しました。 AK が製造した SRR アレイ。 MS は、PTFE のレーザー誘起改質を実行しました。 EK は、レーザー変性 PTFE の無電解銅めっきを実行しました。 著者全員が結果について議論し、原稿をレビューしました。
ロムアルダス・トルソバス氏への通信。
著者らは競合する利害関係を宣言していません。
シュプリンガー ネイチャーは、発行された地図および所属機関における管轄権の主張に関して中立を保ちます。
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転載と許可
カマラウスカス、A.、セリュータ、D.、シュレカス、G. 他。 厚い基板上のスプリットリング共振器のミラーアレイにおける複数のファノ共振の実験的デモンストレーション。 Sci Rep 12、15846 (2022)。 https://doi.org/10.1038/s41598-022-20434-x
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受信日: 2022 年 8 月 4 日
受理日: 2022 年 9 月 13 日
公開日: 2022 年 9 月 23 日
DOI: https://doi.org/10.1038/s41598-022-20434-x
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